韩国科学技术院（KAIST）1月28日宣布，该校电气电子工程系金相铉教授的研究团队，与仁荷大学金相铉教授团队合作，并联合QSI、Laontech两家企业，成功开发出一种超高分辨率红色MicroLED显示技术，该技术可显著降低设备功耗。

研究团队实现了1700 PPI的超高分辨率MicroLED显示屏，其分辨率约为当前最新智能手机显示屏的3至4倍。借助该技术，即便应用于虚拟现实（VR）和增强现实（AR）设备，也能呈现出“逼真的图像效果”，彻底摆脱传统高分辨率屏幕常见的视觉瑕疵。

Micro LED是一种像素自身可发光的显示技术。相较于OLED技术，它具备更高亮度、更长使用寿命及更高能效的优势，但同时面临两大核心挑战，即红色LED的低发光效率与器件传输工艺的局限性。

此次研究团队成功攻克了这两大难题。首先，该团队采用磷化铝铟/磷化镓铟（AlInP/GaInP）量子阱结构，研发出高效红色MicroLED，即便将像素尺寸缩小，其能量损失也几乎为零。

量子阱技术的核心原理是通过构建能量势垒，将电子束缚在特定发光区域内防止逃逸。这一特性使得即便像素尺寸缩小，也能有效减少能量损耗，进而制造出亮度更高、能效更优的红色MicroLED。

此外，团队并未采用传统的逐个转移LED的加工方式，而是创新应用单片3D集成技术，将整个LED层直接堆叠在驱动电路之上。这种技术方案可有效降低器件对准误差与缺陷率，为超高分辨率显示器的稳定量产提供了可能。同时，研究团队还掌握了低温加工技术，避免了加工过程中驱动电路受损的问题。

该研究成果具有重要意义，它首次证实了超高分辨率红色MicroLED显示屏（业界公认实现难度最高的MicroLED技术方向）的可行性。预计这项技术将广泛应用于各类下一代显示场景，包括对屏幕噪点要求近乎严苛的AR/VR智能眼镜、车载抬头显示器（HUD）以及超小型可穿戴设备等。

仁荷大学金相铉教授表示，这项研究同时解决了MicroLED领域长期存在的红色像素效率偏低与驱动电路集成难度大两大痛点。